存储芯片的涨价,一直是市场上被火热讨论的话题。10月底,三星电子、SK 海力士先后交出2026年三季度成绩单,营收和营业利润双双创下纪录;另一头,通用型DRAM的合约价还在往上走。
涨价究竟走到哪一步了?先看价格曲线,再翻两家巨头的账本。
据21世纪经济报道,集邦咨询旗下DRAMeXchange统计,10月通用型DRAM产品DD8Gb(1Gx8)的平均合约价格达到27.5美元,较9月的26美元上涨5.77%。对比2016年6月开始追踪统计时的2.9美元,累计涨幅已经达到约9.5倍。
集邦咨询还预计,2026年第四季度PC DRAM合约价格将环比上涨13%至18%。
根据中信建投证券研报中的价格走势图看,DDR4、DDR5和Flash Wafer的价格在2021—2025年上半年长期低迷、反复震荡。进入2025年四季度后,价格才转头向上,随后快速冲高,涨幅集中在最近一年多。

图源:中信建投证券研报
价格持续上涨背后,是存储厂商的产能配置正在发生结构性变化。
近年来,随着AI训练与推理业务快速发展,HBM、大容量服务器DRAM等高性能存储产品的市场需求显著扩张。相较于传统PC、手机存储等消费级存储产品,数据中心对高性能存储的需求更为强劲,同时能够为存储原厂带来更高的盈利回报。
因此,三星、SK海力士、美光等企业逐步将资本开支与产能资源向高附加值产品倾斜。受此影响,即便传统消费级DRAM本身需求并未出现大幅提升,但供给端产能被压缩,同样推动产品价格上行。
这种变化也反映在存储巨头的经营表现上。面对当前显著的供需紧张行情,存储芯片巨头们也已经纷纷宣布开启扩产。
三星电子2026Q3财报
据证券时报网,10月29日,全球存储原厂巨头三星电子发布2026年第三季度业绩,公司单季度营收实现195.3万亿韩元,营业利润107.4万亿韩元,均创下历史新高,并成为全球首家单季营业利润突破100万亿韩元的科技公司。
半导体业务部门(DS)成为本季度业绩增长的主要驱动力。三星DS事业部第三季度销售额147.1万亿韩元,营业利润106.5万亿韩元,几乎贡献了集团全部营业利润,分部营业利润率约72%。
三星电子高管在业绩说明会上预计,受建厂周期、设备交付与HBM工艺约束等因素影响,存储供给紧张格局预计将持续至2028年,长期供应合同目标锁定60%至70%的中长期产能;公司将上调2026全年资本支出,同比增长约六成。

三星电子高管介绍,第三季度公司大幅提升了HBM4的销量,并应对服务器固态硬盘日益增长的需求。与上一季度相比,公司DRAM平均售价增长了20%,NAND平均售价提高近10%。由于HBM4的差异化表现,第三季度HBM4的销售额环比增长超过三倍。HBM4在HBM总销售额中的占比也提升至60%。
依托技术优势,公司计划在2027年上半年开始量产HBM4E,并在下半年逐步提升产能,积极响应服务器对8000Mbps及以上高速DDR5内存的需求;NAND方面,公司将继续强化产品组合,重点开发AI相关产品,例如PCIe Gen6服务器固态硬盘、高密度QLC固态硬盘等。
SK海力士2026Q3财报
据中国证券报,10月28日,SK海力士发布了一份超出市场预期的三季报。三季报显示,公司单季营业收入首次突破100万亿韩元,营业利润达83.33万亿韩元。在AI存储需求增长的推动下,这家存储巨头的营业收入和营业利润均刷新季度纪录。
在业绩电话会上,SK海力士管理层表示,HBM4量产推进顺利,良率已超过原定目标,预计第四季度将在出货量和收入占比上超过HBM3E。公司正提高生产效率,以满足客户需求,并与主要客户推进定制化HBM项目。

图源:SK海力士官网
值得注意的是,存储市场仍处于供不应求的状态。受先进制程技术难度提升及新建生产设施耗时较长等因素影响,存储市场供不应求格局预计将持续至2030年。
SK海力士管理层透露,包括已签订长期供应协议的订单和正在具体磋商的客户在内,公司截至2029年的DRAM和HBM供应量已基本被覆盖。其中,已落实的长期协议覆盖了2027年和2028年总产能的50%以上。
公司计划明年显著增加投资,同时结合客户需求、盈利能力和投资效率,灵活调整投入规模与节奏。
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